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Si8610/20/21/22
Table 3. Electrical Characteristics
(V DD1 = 3.3 V ±10%, V DD2 = 3.3 V ±10%, T A = –40 to 125 °C)
Parameter
VDD Undervoltage
Symbol
VDDUV+
Test Condition
V DD1 , V DD2 rising
Min
1.95
Typ
2.24
Max
2.375
Unit
V
Threshold
VDD Undervoltage
VDDUV–
V DD1 , V DD2 falling
1.88
2.16
2.325
V
Threshold
VDD Undervoltage
VDD HYS
50
70
95
mV
Hysteresis
Positive-Going Input
VT+
All inputs rising
1.4
1.67
1.9
V
Threshold
Negative-Going Input
VT–
All inputs falling
1.0
1.23
1.4
V
Threshold
Input Hysteresis
High Level Input Voltage
Low Level Input Voltage
V HYS
V IH
V IL
0.38
2.0
—
0.44
—
—
0.50
—
0.8
V
V
V
High Level Output Voltage
Low Level Output Voltage
Input Leakage Current
Output Impedance 1
V OH
V OL
I L
Z O
loh = –4 mA
lol = 4 mA
V DD1 ,V DD
2 – 0.4
—
—
—
3.1
0.2
—
50
—
0.4
±10
—
V
V
μA
?
Notes:
1. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 50 ? , ±40%, which is a
combination of the value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output
driver FET. When driving loads where transmission line effects will be a factor, output pins should be
appropriately terminated with controlled impedance PCB traces.
2. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units
operating at the same supply voltages, load, and ambient temperature.
3. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
Rev. 1.4
9
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